AD 2 Battery
(53)- 2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 450 Максимальная с
- 2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 480 Максимальная с
- 2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 5546 Максимальная
- 2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 490 Максимальная
- 2.5" SSD 240GB Kingston A400, SATAIII, Sequential Reads:500 MB/s, Sequential Writes:350 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC2.5" SSD 240GB Kingston A400, SATAIII, Sequential Reads:500 MB/s, Sequential Writes:350 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими же
- M.2 External SSD 240GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumptionM.2 External SSD 240GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumption Производитель:Verbatim Модель:Vx500 Тип накопителя:Твердотельный накопитель (SSD) Объем накопител
- M.2 External SSD 480GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumptionM.2 External SSD 480GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumption Производитель:Verbatim Модель:Vx500 Тип накопителя:Твердотельный накопитель (SSD) Объем накопител
- 2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2 Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максималь
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- 2.5" SSD 960GB Kingston A400, SATAIII, Read:500 MB/s, Write:450 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC2.5" SSD 960GB Kingston A400, SATAIII, Read:500 MB/s, Write:450 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC Объем 960 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII Тип накопителя Внутренний
- 2.5" SSD 960GB Kingston A400, SATAIII, Sequential Reads:500 MB/s, Sequential Writes:450 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC2.5" SSD 960GB Kingston A400, SATAIII, Sequential Reads:500 MB/s, Sequential Writes:450 MB/s, 7mm, Controller 2 Channel, NAND TLC Объём накопителя, ГБ 960 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 450 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 500
- 2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 2.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 2.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя: 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальна
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- 2.5" SSD 1.0TB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Volum 1 TB Viteza de citire 550 MB / s Viteza de inregistrare 490 MB / s Consumul de energie Func?
- 2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD220Q2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD220Q [R/W:550/500MB/s, 57K/59K IOPS, SM2259XT, 3D-NAND QLC] Бренд TRANSCEND Модель SSD220Q Форм-фактор накопителя 2,5" Память накопителя 500 ГБ Тип чипов 3D-NAND QLC Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 MБ/с IOmeter 57K/59K IOPS Интерфейс накопителя SATA III (6ГБ/с) Brand T
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая техн
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 600,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 600,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND) SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD)
- .M.2 SATA SSD 2.0TB Transcend "TS2TMTS830S" [80mm, R/W:560/520MB/s, 90K/85K IOPS, SM2258, 3DTLC].M.2 SATA SSD 2.0TB Transcend TS2TMTS830S [80mm, R/W:560/520MB/s, 90K/85K IOPS, SM2258, 3DTLC] Производитель TRANSCEND Модель TS2TMTS830S Форм-фактор накопителя M.2 Крепёж для порта М.2 Память накопителя 2 TB Контроллер SM2258 Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 520 МБ/с IOmeter 90K/85K IOPS
- 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3 Формат жесткого диска 2,5 Интерф
- M.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 2280 Основной интерфейс: интерфейс Serial ATA со скоростью передачи данных 6 Гб
- 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3 Архитектура жесткого диска NAND
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC Модель IRDM PRO GEN.2 IRP-SSDPR-S25C-256 Форм-фактор накопителя 2,5"