3DP-ABS1.75-01-GB
(44)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 2GB 2400 MHz Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2400 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовыват
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL19
- .8GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V .8GB DDR4-3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 3200 МГц CAS Latency (CL), нс 22 Тип памяти DDR4
- .8GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V.8GB DDR4-3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 3200 МГц CAS Latency (CL), нс 22 Тип памяти DDR4 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL22
- 8GB DDR4-2666 SODIMM VIPER (by Patriot) STEEL Performance, PC21300, CL18, 1.2V, Intel XMP 2.0 Support, Black8GB DDR4-2666 SODIMM VIPER (by Patriot) STEEL Performance, PC21300, CL18, 1.2V, Intel XMP 2.0 Support, Black Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 мб/с Схема таймингов памяти CL18
- 8GB DDR4-2666 SODIMM Kingston ValueRam, PC21300, CL19, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM Kingston ValueRam, PC21300, CL19, 1.2V Оперативная память Kingston обладает замечательными характеристиками, высокой степенью производительности и малой степенью энергопотребления. Этот модуль памяти был создан специально для ноутбуков. Модули памяти Kingston проектируются, производятся и тщател
- 8GB DDR4-3200 SODIMM VIPER (by Patriot) STEEL Performance, PC25600, CL18, 1.35V, Intel XMP 2.0 Support, Black8GB DDR4-3200 SODIMM VIPER (by Patriot) STEEL Performance, PC25600, CL18, 1.35V, Intel XMP 2.0 Support, Black Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/c Схема таймингов памяти CL18
- 8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V Оперативная память GOODRAM обладает замечательными характеристиками, высокой степенью производительности и малой степенью энергопотребления. Этот модуль памяти был создан специально для ноутбуков. Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая ча
- 8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/c Схема таймингов памяти CL22
- 8GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 мб/с Схема таймингов памяти CL19
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 16GB DDR4-2666 SODIMM Kingston ValueRam, PC21300, CL19, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM Kingston ValueRam, PC21300, CL19, 1.2V Оперативная память Kingston обладает замечательными характеристиками, высокой степенью производительности и малой степенью энергопотребления. Этот модуль памяти был создан специально для ноутбуков. Модули памяти Kingston проектируются, производятся и тщате
- 16GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V 16GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V Объем 16 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 3200 МГц CAS Latency (CL), нс 22 Тип памяти DDR4
- 16GB DDR4- 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V 16GB DDR4- 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Объем 16 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 19 Тип памяти DDR4
- 16GB SODIMM DDR4 Team Elite TED416G3200C22-S01 PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V16GB SODIMM DDR4 Team Elite TED416G3200C22-S01 PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600 Схема таймингов памяти CL22
- 16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 2 Rank, Double-sided module, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 2 Rank, Double-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/с Схема таймингов памяти CL22
