SODIMM DDR-III
(12)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black Производитель: Kingston назначение: для ноутбуков Объем, ГБ: 4 Количество планок в комплекте: 1 стандарт: PC3-12800 Штатные тайминги: CL9 Рабочее напряжение, В: 1,35 радиаторы: нет
- Goodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GBGoodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GB Объем памяти 8 ГБ Частота памяти 1600 МГц Количество планок 1
- 8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд KINGSTON Модель KF318LS11IBK2/8 Тип памяти DDR3L Стандарт памяти PC12800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 8ГБ (2x4ГБ) Частота функционирования пам
- 16GB (Kit of 2*8GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink16GB (Kit of 2*8GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд KINGSTON Модель KF318LS11IBK2/16 Тип памяти DDR3L Стандарт памяти PC12800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 16ГБ (2x8ГБ) Частота функционирования
