'GoodRam'
(55)- 4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11 Модули памяти Goodram типа DDR3 широко используются в компьютерах, где требуется большая скорость передачи данных, большая емкость и низкое энергопотребление. Качество модулей памяти Goodram В целях обеспечения высочайшего качества модулей памяти марки Goodram, компания работает
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 490 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 490 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Ваш старый ПК теперь как новый Скоростной флеш-накопитель на основе технологии 3D TLC и контроллер Phiso
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Категория SSD Производитель GOODRAM Форм-фактор 2.5" Емкость накопителя 240 GB Скорость чтения 520 MB/s Скорость записи 400 MB/s Тип ячеек памяти TLC Контролл
- 8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V Оперативная память GOODRAM обладает замечательными характеристиками, высокой степенью производительности и малой степенью энергопотребления. Этот модуль памяти был создан специально для ноутбуков. Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая ча
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Модуль памяти DDR3 Goodram 4GB 1600MHz CL11 1.35V [GR1600D3V64L11/4G] вы можете приобрести в нашем интернет-магазине по самой выгодной цене. Покупать в «ЮЛАЙН» всегда приятно! Добавьте товар в корзину и оформите заказ. После этого наш менеджер свяжется с вами и уточнит все
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-256-G22.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-256-G2 Категория:SSD Производитель:GOODRAM Part Number:SSDPR-CX400-256-G2 Модель:CX400 Gen.2 Форм-фактор:2.5" Емкость накопителя:256 ГБ Скорость чтения:550 МБ/с Скорость записи:480 МБ/с Скорость произвольного чтен
- 32GB DDR5-4800 GOODRAM, PC5-38400, CL40, 2048x8, 1.1V32GB DDR5-4800 GOODRAM, PC5-38400, CL40, 2048x8, 1.1V Тип устройства:RAM Тип устройства:Оперативная память Производитель:GOODRAM Модель:GR4800D564L40/32G Тип памяти:DDR5 DIMM Объем памяти:32 ГБ Количество планок:1 Частота памяти:4800 МГц. Назначение:Для настольных ПК Радиаторы на планках:Нет Схема таймингов памяти:CL
- 4GB DDR4-2400 GOODRAM, PC19200, CL17, 1.2V4GB DDR4-2400 GOODRAM, PC19200, CL17, 1.2V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2400 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- 4GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V4GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V Объем памяти 4 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Напряжение питания 1.2 В Радиаторы на планках Нет Частота памяти 2666 МГц Эффективная пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 1850 MB/s/ 950 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 102K IOPS/ 230K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 70TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 1850 MB/s/ 950 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 102K IOPS/ 230K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 70TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal Бренд GOODRAM Модель PX500 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Памя
- 8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 8 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- 8GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 8 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 480 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 61,440 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 480 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 61,440 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 256 ГБ Формфактор 2.5" Интерфейс SATAIII
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR4-2666 GOODRAM Iridium X, PC21300, CL16, Latency 16-18-18, 1024x8, 1.35V, Aluminum BLACK heatsink8GB DDR4-2666 GOODRAM Iridium X, PC21300, CL16, Latency 16-18-18, 1024x8, 1.35V, Aluminum BLACK heatsink Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2666 МГц CAS Latency (CL), нс 16-18-18 Тип памяти DDR4
- 8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- M.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- 8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V Бренд GOODRAM Модель GR4800S564L40S/8G Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение питания 1.1 В
- M.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM PX500 Gen.2, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 2000 MB/s, Write: 1600MB/s, Controller SMI 2263XT, 3D NAND Flash SSDPR-PX500-512-80M.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM PX500 Gen.2, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 2000 MB/s, Write: 1600MB/s, Controller SMI 2263XT, 3D NAND Flash SSDPR-PX500-512-80 Бренд GOODRAM Модель PX500 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 512 ГБ Тип чипов 3D-NAND TLC Скорость чтения 2000 МБ/с Скорость записи 16
- 2.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 540 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 540 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Объём накопителя, ГБ 480 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 460 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 540
- M.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 2000 MB/s/ 1600 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 173K IOPS/ 140K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 330TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermalM.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 2000 MB/s/ 1600 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 173K IOPS/ 140K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 330TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal Тип устройства:SSD Тип устройства:SSD Производитель:GOODRAM Мо
- 16GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V16GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 16 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- 16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 16 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- 16GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V16GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V Объем 16 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 19 Тип памяти DDR4
- M.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
