Athlon 64 X2 Dual-Core 5000
(14)- M.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 Core XT, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 5000 MB/s / Writes 4400 MB/s, Random Read / Write IOPS - 600K / 1000K, Phison PS5021-E21T, HMB 64MB, AES-256, TBW - 900 TB, 176L Micron 3M.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 Core XT, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 5000 MB/s / Writes 4400 MB/s, Random Read / Write IOPS - 600K / 1000K, Phison PS5021-E21T, HMB 64MB, AES-256, TBW - 900 TB, 176L Micron 3
- Intel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GAHIntel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GAH Сопряжение с жестким диском SATA для приемлемого увеличения скорости отклика без ущерба для емкости хранилища Используется с процессорами Intel Core 7-го и 8-го поколений, а также с материнской платой Optane Ready и жестким диском SATA
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5mlM.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5ml Объём накопителя 1000 ГБ Максимальная скорость записи, мб/с 4
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s / 3200 MB/s, TBW: 300TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s / 3200 MB/s, TBW: 300TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 3200 Ма
- M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s / 4200 MB/s, TBW: 600TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s / 4200 MB/s, TBW: 600TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 4200 Ма
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4300 MB/s, Random Read 715K IOPS, Random Write 730K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4300 MB/s, Random Read 715K IOPS, Random Write 730K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 2000 ГБ Скорость чтения: 5000 МБ/с Скорость записи: 4300 МБ/с Тип яче
- Intel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GALIntel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GAL
- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 1850 MB/s/ 950 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 102K IOPS/ 230K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 70TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM PX500 Gen2, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 1850 MB/s/ 950 MB/s, Random (4k QD64) Read/Write 102K IOPS/ 230K IOPS, SMI 2263XT, TBW: 70TB, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal Бренд GOODRAM Модель PX500 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Памя
- 500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд LEXAR Модель NM710 LNM710X500G-RNNNG Форм-фактор накопителя M.2 2280 Память накопителя 500 ГБ Тип чипов TLC Скорость чтения 5000 МБ/с Ско
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Интерфейс : PCIe Gen 4.0 x4 Модель : 980 PRO Тип : SSD M.2 NVMe Объем : 500 ГБ Скорость записи : 5000 Мб/c Скорость чтения : 7000 Мб/c
- 1TB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X001T-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 4500MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X001T-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 4500MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Объём накопителя 1000 ГБ Максимальная скорость записи, мб/с 4500 Максимальная скорость чтения, мб/с 5000
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объем 1 ТБ Скорость чтения до 7000 МБ/с Скорость записи до 5000 МБ/с Энергопотребление до 8.9 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Формф